依托芯片复兴战略的持续落地，日本半导体产业正迎来久违的外资热潮。

日本政府又给Rapidus打钱了。

据多家日本媒体8月21日消息，日本经济产业省计划在2027年度预算案中新增1500亿日元（约合9.44亿美元）追加出资，投向本土先进晶圆代工企业Rapidus，该方案还需要后续国会流程审批后方可正式生效。如若预算顺利落地，加上此前2026年2月、6月两笔合计2500亿日元直接投资，日本政府直接出资总额将达到4000亿日元。

叠加委托研发形式下发的各项补贴，至2028年3月，政府层面整体扶持资金规模将逼近3万亿日元。日本三菱UFJ、三井住友、瑞穗三大银行正商讨提供最高2万亿日元、附带政府担保的融资方案，后续落地之后将进一步补足项目资金缺口，一场万亿级别的半导体攻坚计划正在全面铺开。

一、Rapidus进度如何？

巨额资金投入之下，Rapidus也对外亮出清晰的先进封装技术蓝图。在2026OCP亚太峰会上，Rapidus Design Solutions封装技术Field CTO Rozalia Beica公布中长期路线图，公司计划2030年实现8掩模版、6640平方毫米中介层量产，配套有机基板面积可达14400平方毫米，整体方案服务于600×600毫米面板级AI处理器封装项目。

对比台积电CoWoS硅中介层逐年放大掩模版面积的路线，Rapidus选择了差异化的大面板工艺路径。从产出效率数据来看，同规格8掩模版中介层，传统300毫米圆形晶圆仅可产出4颗，而600×600毫米方形面板能够产出49颗芯片，材料利用率优势十分突出。目前600毫米面板样品已经试制完成，公司将同步推进300mm晶圆、大尺寸面板两条产线并行开发。

依托日本NEDO 2026财年项目预算，Rapidus旗下RCS芯粒解决方案试验产线即将投产，重点攻克2.xD、3D高密度集成工艺，泛林Kallisto电镀设备将作为核心装备，完成600mm玻璃载板上面重布线层RDL的加工制造。

早在2025年末，Rapidus已经推出大尺寸玻璃中介层原型，目标锁定2028年实现商业化量产。除此以外，公司推出IIM创新集成制造模式，依靠传感器与AI实时监测生产过程、预判缺陷风险，打通设计端和制造端的数据闭环，目标建成全球首座前后道一体化工厂。

Rapidus被称为“日本半导体国家队”，已经完成2纳米GAA晶体管原型试制，2027年下半年正式启动2nm芯片量产，初期月产能6000片，次年爬坡至每月2.5万片。客户拓展方面，富士通成为首家正式商业客户，Tenstorrent拿到早期产能配额，目前团队已经和超过60家海内外企业展开商务洽谈。按照整体规划，Rapidus 2026年启动1.4nm工艺研发，瞄准2029年量产，目标缩短与头部厂商的制程差距。

二、Rapidus之外，日本还在拉人入局

仅仅依靠Rapidus一家企业，很难短时间补齐日本半导体整条产业链。日本现阶段产业策略有着非常清晰的分工：本土企业负责攻坚最顶层的2nm自主制程，另一边拿出大额补贴，吸引海外厂商落地，快速补齐成熟制程、HBM存储、光芯片等环节产能缺口。台积电、美光、Tower近期落地的一系列项目，正是这套招商引资政策下的代表性案例。

1）台积电（TSMC）

台积电在日本的布局早已跳出单一代工工厂的定位，正在熊本逐步搭建区域性半导体产业集群。熊本首厂已经投产，主攻28/22nm以及16/12nm成熟制程，月产能稳定在5万片，主要供给汽车、工业芯片市场。

今年2月，台积电对外提出熊本二厂升级规划，在原定6/7nm等制程规划基础上，向上兼容导入3nm先进制程，项目投资额上调至170亿美元；不过该先进制程方案尚待日本经产省最终审批，当前官方获批产能以6/7nm、12-16nm、40nm为主，工厂可拿到日本政府最高7320亿日元专项补贴。

产业配套层面，台积电与索尼已经官宣成立独立的图像传感器合资公司，并非现有JASM熊本厂区，索尼持股约60%、台积电占40%，双方首期合计出资7470亿日元，项目整体规划投入接近1万亿日元，工厂预计2029年投产，主攻车载、高端手机CIS芯片市场。

2）美光（Micron）

全球AI算力需求拉动HBM产品持续供不应求，美光选择加码广岛工厂扩产。今年7月扩建项目正式动工，整体投入1.5万亿日元，新增产线预计2028年夏季投产出货，用来大幅提升面向AI服务器的高带宽内存供货规模。

日本经产省为本轮扩建项目提供最高5000亿日元专项补贴，覆盖约三分之一建设成本；叠加此前广岛厂区获得的扶持，美光在当地累计拿到补贴额度可达7750亿日元。

美光CEO桑杰·梅赫罗特拉在开工仪式上提到，广岛将会成为美光HBM产品重要的生产基地。根据TrendForce集邦咨询的数据，2025年美光HBM全球市占率大约20%。目前广岛原有厂区HBM产能已经处于满载，新产线落地之后，美光的HBM供货能力将会明显提升。

3）高塔半导体（Tower）

光芯片方向，Tower半导体7月公布日本扩产计划，总投资额约6000亿日元，改造扩建富山县鱼津市、新潟县妙高市两处厂区，布局硅光子、硅锗光芯片制造产线，项目拿到日本经济产业省专项补贴。该项目将配合NTT主导的国家级IOWN光电融合战略落地。日本招商引资不再只盯着逻辑芯片、存储芯片，已经提前布局光芯片这类下一代算力基础设施。

日本政府砸入真金白银，复兴产业的决心是看得见的。不过，产业重建这件事，补贴只是第一步。Rapidus的2nm产线2027年下半年才启动量产，台积电熊本二厂的先进制程产能释放也需要时间，美光的广岛HBM产线要到2028年。接下来两三年，预算能不能按期落地、产线爬坡顺不顺利、客户是否愿意转单，每一项都是变量。钱花出去了，效果还得等时间验证。

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