7月1日消息，据Tom's hardware报道，美国存储芯片大厂美光（Micron）近日详细介绍了其不久前宣布的对美国投资2000亿美元的投资计划。

在今年6月12日，美光就宣布，其计划将在美国的存储制造投资扩大到约 1500 亿美元，研发投资也将扩大到 500 亿美元，从而创造约 90,000 个直接和间接工作岗位。

其中，1500亿美元的投资包括：在爱达荷州博伊西建造第二家领先的内存工厂；扩建其位于弗吉尼亚州马纳萨斯的现有制造工厂并对其进行现代化改造；位于纽约的多达四家领先的大批量晶圆厂；并将先进的HBM封装能力引入美国，以实现对 AI 市场至关重要的高带宽内存 （HBM） 的长期增长。此外，美光宣布计划投资 500 亿美元提升美国国内存储芯片技术研发，再次巩固其作为全球内存技术领导者的长期地位。这些投资额也旨在使美光能够满足预期的市场需求，保持美国市场份额并支持美光在美国生产 40% 的 DRAM 的目标。

根据美光最新公布的信息显示，该投资计划的第一部分涉及在爱达荷州博伊西附近建造世界上最大、最先进的 DRAM 生产设施之一，现在称为 Fab ID1。一旦完全配备生产设备，ID1 的洁净室面积将达到 600,000 平方英尺（~55,700 平方米）。这大约是 GlobalFoundries 的 Fab 8 洁净室产能的两倍，与竞争对手三星和 SK 海力士在韩国运营的大型晶圆厂相当。

美光在爱达荷州的Fab ID1 将于 2025 年 6 月达到了一个关键的建设里程碑，预计将于 2027 年下半年开始生产晶圆，此后将获得客户资格认证。爱达荷州的第二座晶圆厂Fab ID2 将建在ID1附近，受益于共享基础设施和研发共址。美光预计Fab ID2 将在纽约工厂之前投入生产，尽管该公司没有详细说明确切的时间。

虽然美光在爱达荷州的Fab ID2 厂破土动工，ID1 也预计将在几年内开始运营，但该公司仍在努力推动位于纽约的多达四家领先的大批量晶圆厂的计划。美光计划在完成联邦和州环境审查后，到 2025 年底开始其纽约工厂的地基工作。美光的纽约计划比爱达荷州的计划更加雄心勃勃，因为它涉及四个晶圆厂阶段，洁净室面积约为 600,000 平方英尺（约 55,700 平方米）。虽然尚未宣布该工厂的具体生产时间表，但很明显，该工厂是美光长期战略努力的一部分，旨在建立强大的美国国内制造足迹，以支持商业和国家计算需求。

除了建造全新的晶圆厂外，美光还将扩建其位于弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂。目前，该工厂生产用于汽车、航空航天、国防和工业应用的存储芯片。升级后，该晶圆厂将获得在美国组装 HBM 内存堆栈的产能和先进封装能力。然而，美光只有在爱达荷州博伊西的晶圆厂在美国提高 DRAM 晶圆的产量后，才会为其弗吉尼亚工厂增加 HBM 能力。也就是说，预计美光将在美国制造 HBM5 或 HBM6。

“作为这项 2000 亿美元投资计划的一部分，美光计划[...]在我们在美国业务中建立了足够的 DRAM 晶圆规模后，将先进封装能力到美国，以支持我们的长期 HBM 增长计划，“美光首席执行官兼董事长 Sanjay Mehrotra 说。

编辑：芯智讯-浪客剑