这两年，全球半导体存储行业已彻底告别库存调整，我们看到的不再是熟悉的周期性循环，而是一场由人工智能重塑底层逻辑的“超级周期”（Supercycle）。与以往由消费电子（PC、手机）周期性换机驱动的复苏不同，本轮增长呈现出明显的刚性与结构性特征。

2026年伊始，量价齐升的狂潮已席卷整个产业链，DDR5价格的飙升让部分存储巨头的毛利率直逼50%的历史高位，而HBM产能的全面告急——2026年订单已被英伟达和AMD抢订一空——更是宣告了“存力”短缺时代的到来。

面对这一巨大的供需缺口，三星、SK海力士与美光三大原厂已全面开启激进的扩产模式，不惜重金重启大规模资本支出，全力押注先进制程以抢占市场高地。在这场没有硝烟的战争中，存储行业正迎来属于它的黄金时代。

三星攻势：360万亿韩元新建六座晶圆厂，全速冲刺HBM4量产验证

外媒最新消息显示，三星电子近日已与韩国土地住宅公社（LH）签署土地购买协议，正式启动龙仁国家产业园项目。三星将投资360万亿韩元，在约728万平方米的园区内建设六座晶圆厂，计划2026年下半年开工，2031年完工。

龙仁项目最初被冠以系统半导体集群的名号，但随着2026年AI市场的演进，该园区的战略定位发生了实质性的偏移。诸多行业人士表示，龙仁集群将成为三星电子实现垂直AI集成（Vertical AI Integration）的核心基地。

传统的半导体制造模式将存储器（Memory）和逻辑芯片（Logic）的生产在地理和工艺上严格分离。然而在AI时代，这种分离带来了不可忽视的数据传输延迟和能耗瓶颈。此前在HBM3E时代，底部的基础裸片仍然主要由存储厂商使用成熟工艺制造。但进入HBM4时代以及未来，为了处理庞大的I/O吞吐和集成更多的控制逻辑，基础裸片必须采用先进的逻辑工艺（如5nm或4nm）制造。

三星的新战略正是打破这一界限，龙仁园区新建的六座晶圆厂将突破传统存储扩产定位，不仅支持高带宽内存HBM产线，同时还将引入为未来逻辑芯片、AI处理器、先进封装等半导体超级集群生产线。这也是三星为应对当下SK海力士势头红火的策略。

在龙仁投产前的真空期背景下，平泽（Pyeongtaek）校区成为了三星应对2026年HBM爆发式需求的战略支点。产业链消息显示，三星已决定缩短平泽P4工厂第四阶段（Ph4）的建设周期，将设备搬入和试运行时间提前了2至3个月，目标锁定在2026年第三季度前具备大规模量产能力。P4工厂被定义为三星10纳米级第六代（1c）DRAM的核心生产基地，而1c DRAM正是制造下一代HBM4存储器的基础颗粒。

与此同时，三星此前因半导体周期下行而暂停的P5工厂建设也已全面重启，三星已启动为P5订购包括气体、化学供应系统在内的关键基础设施设备招标，目标是在2028年实现全面运营。通常情况下，设备订单会在框架搭建完成后才下达，但此次为了加快批量生产进度，三星据称将采取“快速通道”策略，即框架搭建、设备订购和安装工作同步进行。

据悉，P5将被设计为“三层厂”（triple fab），规模相当于P3与P4的总和，而P3与P4则为双层厂。目前还不确定P5是否将生产高频宽存储器（HBM）等产品，或同时提供客户代工服务，不过若进程顺利，P5厂预期将于2028年正式投产。

目前三星依旧未对其HBM是否通过英伟达验证的消息进行公开确认。市场端消息看，三星此前HBM3E验证受阻的主要原因在于热量和功耗问题，据TrendForce集邦咨询了解，三星为了解决这些问题，对1a nm制程的DRAM进行了重新设计，并于2025年下半年取得了关键突破，并开始向Google和英伟达供应。

而在更先进的HBM4，从产业链端消息看，截至2026年1月，据悉三星已向英伟达和谷歌交付了HBM4的最终样品，并获得了生产准备批准（PRA），这标志着大规模量产的前奏。这意味着只要客户（英伟达）签署Mass Production(MP)协议，即可量产。

另外，据外媒披露，英伟达团队在2025年底访问三星时，三星声称最近在NVIDIA的SiP（系统级封装）测试中获得了最高评价。据悉，三星计划在2026年将HBM产能扩大50%，达到每月25万片晶圆，以满足这些订单。

除了高端存储外，三星目前还在新型内存SOCAMM和LPDDR上发力。针对AI推理服务器对能效的高要求，三星开发了低功耗、低发热的SOCAMM2模组并向英伟达送样，这款产品很可能被集成到NVIDIA的下一代人工智能半导体平台“Rubin”系列中，市场需求巨大。另外，受SK海力士产能全力倾斜HBM影响，三星在移动端优势扩大。行业数据显示，苹果iPhone 17所用的LPDDR5X内存中，约70%由三星供应。

SK海力士卫冕：优化MR-MUF工艺与存储定制化转型

作为HBM市场的卫冕冠军，SK海力士采取了截然不同的策略来防御三星的进攻。由于自身缺乏顶级的逻辑代工能力，SK海力士选择与台积电结成深度联盟。

鉴于HBM4的基础裸片需要采用先进逻辑工艺（如12nmFFC及N5/N3工艺）以集成更多控制逻辑，SK海力士并未像三星那样试图自己解决所有问题，而是选择将其存储技术与台积电的CoWoS封装工艺及逻辑制程进行深度耦合。

这种合作模式对于NVIDIA等客户具有极大的吸引力，因为它结合了最成熟的存储技术和最可靠的封装产能，显著降低了新一代芯片的研发风险和量产不确定性。据悉，NVIDIA的下一代Rubin架构GPU将首发采用这种由SK海力士与台积电联合打造的HBM4产品。

SK海力士的产能扩张策略具有极强的针对性，几乎完全服务于HBM等高附加值产品。为了应对NVIDIA对HBM4的迫切需求，SK海力士将M15X的量产时间表从原计划的2026年6月提前至2026年2月。这座工厂被明确定义为HBM4等DRAM产品的生产基地，将专注于生产制造HBM4所需的1b纳米（第五代10纳米级）及未来的1c纳米DRAM颗粒。初始产能规划为每月1万片晶圆，但计划在2026年底前迅速扩展至多倍规模，以满足Rubin架构GPU的庞大胃口。

与此同时，SK海力士在龙仁半导体集群的布局则是为了应对2027年以后的长期需求。该项目计划投资高达120万亿韩元（部分估算甚至高达600万亿韩元），建设4座大型晶圆厂。首座工厂于2025年3月正式动工，预计2027年5月竣工投产。龙仁基地不仅将生产HBM4E，还将是未来HBM5（2029-2031年规划）和321层以上NAND闪存的主要生产基地。

SK海力士的这一布局不仅是为了增加产能，更是为了构建一个与三星龙仁集群分庭抗礼的半导体生态圈。值得注意的是，SK海力士还计划在美国印第安纳州建设先进封装厂，这与其在龙仁的制造基地形成了跨越太平洋的供应链闭环，旨在规避国际风险并贴近北美核心客户。

在技术路线上，尽管混合键合被认为是未来的终极方向，但在HBM4 16层堆叠（16-Hi）产品上，SK海力士仍坚持优化其独有的Advanced MR-MUF（批量回流模制底部填充）技术。该技术通过在芯片间填充特殊的液态模塑料来解决散热和应力问题，已经在HBM3和HBM3E上证明了其卓越的量产良率和可靠性。SK海力士认为，优化后的MR-MUF技术完全有能力满足HBM4的散热和厚度要求，且良率远高于尚未成熟的混合键合技术。

对于未来的计划，SK海力士CEO郭鲁正（Kwak Noh-jung）提出了“全方位面向AI的存储器创造者”（Full-Stack AI Memory Creator）的新愿景。SK海力士不再满足于被动接受JEDEC标准，而是开始主动介入客户的芯片设计阶段，提供包括定制化HBM（Custom HBM）、AI-DRAM（如LPDDR5T、CMM-DDR5）和AI-NAND（高容量QLC eSSD）在内的全套解决方案。

特别是其推出的“Custom HBM”概念，允许将部分GPU计算功能下沉到HBM的基础裸片中，从而从架构层面打破内存墙，这标志着存储厂商的商业模式正在发生本质的变化。

美光突围：1-gamma EUV量产与12-Hi HBM3E的能效反击

美光在2026财年展现出更具侵略性的扩张姿态，在业绩说明会上，美光计划将2026财年的资本支出增加至约200亿美元，高于此前估计的180亿美元。这一增量资金将集中用于两点：扩充HBM封装产能，以及加速1-gamma（1γ）工艺节点的全面铺开。

位于博伊西总部的ID2晶圆厂项目被确立为最高优先级。美光将原计划投入纽约的部分资源重新调配至此，目标是将ID2打造为全球唯一的“研发+量产”一体化超级中心。截至2026年1月，ID2主体建设已进入冲刺阶段，预计将于2026年内启动设备安装，并锁定在2027年实现有意义的DRAM产出。

相比之下，原定于2028年投产的纽约巨型晶圆厂项目经历了重新定档。受制于环境审批流程及熟练建筑工人的短缺，首座工厂（Fab 1）的动工时间调整至2026年初，投产时间推迟至2030年，而整个园区的四座晶圆厂建设周期将拉长至2041年。

尽管在EUV（极紫外光刻）引入上晚于三星和SK海力士，但美光在1-gamma节点上展现了极强的追赶效率。作为美光首个全面导入EUV的节点，1-gamma工艺已于2025年底顺利实现量产。数据显示，其位密度较上一代1-beta提升超30%，功耗降低20%。更关键的是，美光宣称该节点的良率爬坡速度（Yield Ramp）创下公司历史新高，比以往节点快50%。目前，基于1-gamma的LPDDR5X已成为高端移动市场的核心出货主力，同时也为HBM4提供了坚实的底层工艺支撑。

在HBM领域，美光采取了“跳级”策略，避开了竞争激烈的HBM3，直接切入HBM3E并大获成功。其推出的12层堆叠（12-Hi）HBM3E凭借比竞争对手低30%的功耗表现，成功进入了NVIDIA H200及Blackwell系列GPU的供应链，并在2025年及2026年实现了产能的完全售罄。

针对即将在2026年爆发的HBM4需求，美光已完成样品交付，计划于2026年初正式开启量产。美光高管确认，其HBM4产品带宽将比HBM3E提升60%以上，并继续主打“能效比”这一差异化优势，全力争夺对电力成本敏感的云服务商（CSP）定制订单。

除了在DRAM战场厮杀，美光在其他领域亦有重要突破，以完善AI存储生态。这里值得一提的主要是两点，NAND Flash上，美光正在加速推进G9节点（第9代3D NAND）的产能爬坡。在企业级SSD领域，G9节点凭借极高的存储密度，正在成为AI数据湖（Data Lake）存储的首选方案。

作为LPCAMM2标准的主要推动者，美光在2026年已推动该模组成为高性能AI笔记本电脑的主流配置。LPCAMM2主要解决了移动端内存形态的长期权衡问题：传统SODIMM内存条虽可更换但体积大、速率受限，而板载内存虽轻薄高速却无法升级。LPCAMM2通过改进触点设计，将LPDDR5X的高频低功耗特性与模组化的可维护性相结合。

2026年存储架构范式、键合之争与CXL突围

展望2026年及未来，全球存储市场的竞争逻辑已发生根本性改变。我们将从架构定义权、封装技术路线和生态系统整合能力三个维度来全面理解它。

1）HBM4架构变革：从“通用商品”到“定制硅片”的范式转移

HBM4的问世是存储器历史上的一道分水岭。随着接口位宽从1024-bit倍增至2048-bit，以及基础裸片（Base Die）全面转向5nm/4nm等先进逻辑工艺，HBM不再仅仅是存储单元的堆叠，它开始具备初步的计算和控制能力（如内置测试、纠错甚至简单的逻辑运算）。这一变化将存储厂商的商业模式从传统的“通用商品（Commodity）”销售转变为“定制化硅片（Custom Silicon）”服务。

在这一趋势下，SK海力士与台积电的联盟模式展现出了强大的生命力。台积电拥有全球最顶尖的逻辑工艺和CoWoS封装产能，SK海力士拥有最成熟的HBM存储颗粒，两者的结合几乎是当前技术条件下的最优解。

相比之下，三星的IDM模式面临着巨大的内部协调挑战。虽然理论上IDM模式可以优化整体流程，但在实际操作中，三星必须证明其4nm逻辑工艺和封装良率能够达到或接近台积电的水平，否则其“交钥匙”方案将面临客户的信任危机。2026年将是这两种模式正面交锋的决胜之年。

也正因为如此，行业的大部分客户（如英伟达、谷歌）也需要在两大阵营间寻求平衡，以确保供应链安全。

2）键合技术路线之争：物理极限下的博弈

16层堆叠（16-Hi）HBM4将是键合技术的试金石。SK海力士坚持的MR-MUF技术在散热和量产性上已证明了自己，但在超多层堆叠的厚度控制上正逼近物理极限。

三星激进押注的混合键合（Hybrid Bonding）技术虽然理论性能优越，但其对工艺环境的要求极其苛刻，良率爬坡充满不确定性。如果三星能在2026年解决混合键合的良率问题，它将在20层以上的HBM4E/HBM5时代占据先机，甚至可能迫使整个行业加速转向；反之，若良率迟迟无法达标，三星可能再次在关键节点上失速，从而巩固SK海力士的市场领导地位。

3）突破“内存墙”：CXL与未来接口之战

如果说HBM解决了AI计算的“带宽”饥渴，那么CXL则是解决“容量”焦虑和“成本”压力的关键。作为业界公认的“内存高速公路”，CXL打破了CPU与内存之间的物理壁垒，允许CPU访问超越本地DIMM插槽限制的内存池。

随着2026年CXL 2.0/3.0标准的成熟和支持该标准的CPU普及，数据中心将迎来一场架构级的重构。内存将不再从属于特定的CPU，而是形成一个共享的资源池（Memory Pooling）。

在这一领域，三星凭借最丰富的产品线和最激进的标准推进，暂时处于领跑位置。然而，SK海力士和美光也在快速跟进，特别是美光在企业级市场的深厚积累不容小觑。

三星在CXL领域的布局最为激进，试图将其打造为继HBM后的第二增长曲线。继2025年底启动基于CXL 2.0的CMM-D（CXL内存模块）量产后，三星计划在2026年推出支持CXL 3.1标准的CMM-D 3.0产品。该产品目标是实现单模块1TB的超大容量与72GB/s的带宽，精准对接万亿参数大模型推理对海量显存的刚性需求。

SK海力士则试图通过增加计算附加值来实现差异化。除了计划在2026年推出标准的CMM-DDR5产品外，SK海力士重点押注集成计算功能的CXL-PIM（存内计算）模块。这一策略旨在将部分计算任务直接在内存端处理，从而降低数据搬运能耗，不仅扩展了容量，更提升了能效比。

与韩系厂商的架构重构不同，美光选择了更为务实的“内存扩展（Memory Expansion）”路线。依托其CZ120系列产品，美光率先打通了商业化路径。该方案利用PCIe Gen5接口和E3.S外形规格，为服务器提供即插即用的容量扩展，无需复杂的架构变动。通过与联想、Supermicro等OEM厂商的深度验证，美光正凭借极高的生态兼容性和产品稳定性，在企业级市场和云服务商中快速提升渗透率。

随着技术的成熟与生态的完善，CXL有望在2026年后确立为存储行业的第二大增长极，为厂商在HBM之外提供更为长期且稳定的收入来源。

展望2026：HBM产能挤兑效应下的结构性“黄金时代”

从市场供需来看，2025年和2026年大概率是存储器的“超级周期”。尽管三大原厂都在增加资本支出，但大部分资金流向了昂贵的HBM封装设备和EUV光刻机，而非传统的晶圆投片量。

由于HBM芯片的尺寸（Die Size）远大于普通DRAM，且需要额外的逻辑底座，同样的晶圆产出HBM的比特位（Bit）要远少于标准DRAM。这种“产能挤兑”效应将导致通用DRAM（如DDR5）的供应持续紧张，进而推高整个市场的价格中枢。

TrendForce集邦咨询等机构预测，随着HBM4的量产爬坡，2026年存储器价格将维持高位，甚至可能出现因HBM产能挤占导致的结构性缺货。

综上所述，2025年至2026年不仅是技术的迭代期，更是市场格局的重塑期。三星电子的全力以赴、SK海力士的合纵连横、美光科技的精准突围，将共同绘制出一幅波澜壮阔的产业画卷。在这场没有硝烟的战争中，胜负的关键不仅在于谁拥有更先进的技术，更在于谁能更深刻地理解AI计算架构演进的本质需求，并以最快的速度将技术转化为客户可用的生产力。