芯片行业，再次传出一则重磅消息！

美光科技最新宣布，将在美国芯片制造和研发领域投资约2000亿美元，其中包括1500亿美元的内存制造和500亿美元的研发投资。这意味着，美光科技的投资规模比此前的计划增加了300亿美元。

据悉，美光科技将在爱达荷州建立第二家领先的内存制造工厂，对弗吉尼亚工厂进行现代化改造和扩建，并为美国带来端到端的高带宽内存（HBM）制造能力，以满足人工智能驱动的需求。

HBM在AI市场中得到广泛应用。有券商表示，持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链，以及以存储为代表的半导体周期复苏主线。

另外，当地时间12日，美光科技宣布已向多家主要客户送样其12层堆叠36GB HBM4内存。据介绍，美光HBM4内存具备2048位元接口，每个内存堆叠的传输速率超过2.0TB/s，性能较前一代产品提升超60%。

2000亿美元重大投资

据媒体近日报道，美光科技（简称“美光”）宣布，公司计划将美国的投资扩大到约1500亿美元的内存制造和500亿美元的研发投资，估计将创造9万个直接和间接就业机会。

美光约2000亿美元的美国扩张愿景包括爱达荷州的两家领先的大型晶圆厂、纽约四家领先的大容量晶圆厂、弗吉尼亚州现有制造工厂的扩建和现代化、先进的HBM封装能力和研发。这些投资旨在使美光能够满足预期的市场需求，保持市场份额，并支持美光在美国生产40%DRAM（动态随机存取存储器）的目标。

两家爱达荷州晶圆厂与美光科技爱达荷州的研发业务合用同一地点，将推动包括HBM在内的尖端产品的规模经济和更快的上市时间。

据悉，美光已经在爱达荷州的第一家晶圆厂实现了关键的建设里程碑，DRAM产量计划于2027年开始。爱达荷州的第二家晶圆厂将增加美光在美国的DRAM产量，以满足人工智能推动的不断增长的市场需求，而该公司预计在完成州和联邦环境审查程序后，将于今年晚些时候在纽约开始地面准备工作。

美光预计其爱达荷州的第二家晶圆厂将在纽约的第一家晶圆厂之前上线。在爱达荷州第二家晶圆厂完工后，美光计划将先进的HBM封装能力带到美国。此外，美光还敲定了2.75亿美元的《芯片法案》直接资助奖，支持其投资于弗吉尼亚州马纳萨斯工厂的扩建和现代化。

美光董事长、总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示：“美光在美国的存储器制造和研发计划突显了我们对推动创新和加强美国国内半导体行业的承诺。这项约2000亿美元的投资在半导体生态系统中创造数万个美国就业机会，并确保美国国内半导体供应。”

“特朗普已经明确表示，现在是在美国建设的时候了。”美国商务部长卢特尼克说：“美光与美国商务部合作，宣布投资2000亿美元进行半导体制造和研发，将全方位的存储芯片生产带回美国。美光计划的投资将确保美国在人工智能、汽车、航空航天和国防等关键行业保持领先地位。”

美光预计，其在美国的所有投资都将有资格获得先进制造业投资信贷（AMIC），该公司已经获得了地方、州和联邦层面的支持，包括高达64亿美元的《芯片法案》直接资金，用于支持爱达荷州两家晶圆厂和纽约两家晶圆厂的建设，以及弗吉尼亚州晶圆厂的扩建和现代化。

多家投行上调美光目标价

作为全球存储解决方案的领先企业之一，美光科技的核心业务涵盖动态随机存取存储器(DRAM)及非易失性半导体存储设备，产品广泛应用于数据中心、个人电脑、移动终端及汽车电子等终端市场。有分析指出，当前，人工智能、数据中心建设及智能汽车渗透率提升三大趋势，正为美光的核心业务构筑长期增长支撑。

近日，美光被多家投行上调目标价。6月5日，瑞穗将美光目标价从124美元上调至130美元，并在公司2025财年第三季度财报发布前维持“跑赢大盘”评级；同日，瑞银也将美光目标价从92美元提升至120美元，继续给予“买入”评级，并指出上调原因系企业前景改善及关税担忧缓解。

瑞穗预测，到2027年，全球HBM行业收入将以年均55%的速度扩张，而美光凭借市场份额的提升，其HBM业务收入增速有望达到90%，最终占据公司DRAM产品收入的45%，显著提振整体营收与利润率。

此外，在美光宣布2000亿美元的投资计划后，英伟达创始人兼首席执行官黄仁勋和苹果公司首席执行官蒂姆·库克等人纷纷发声。

黄仁勋表示，“美光在美国对先进内存制造和HBM能力的投资是人工智能生态系统向前迈出的重要一步。美光在高性能内存方面的领导地位对于实现英伟达正在推动的下一代人工智能突破具有不可估量的价值。我们很高兴与美光合作，共同拓展人工智能和高性能计算的可能性。”

蒂姆·库克称，“在苹果，我们很自豪能与所有50个州的供应商合作，包括美光，其技术有助于为用户每天依赖的产品提供动力。我们期待着在我们的合作基础上再接再厉。”

存储器价格继续上扬

根据DRAMexchange的数据，DDR4（8GB）价格在4月出现了今年以来比较明显的上涨，由3月的1.35美元涨至4月的1.65美元，涨幅达22.2%。NANDFlash（128GB）价格延续年初以来的增长趋势，4月价格2.788美元，价格已经相比去年年底上涨34%。DDR5（16GB）价格经历了之前三个月的明显上涨后，5月增速有所放缓，5月价格为5.561美元，4月为5.524美元。

另外，根据DRAMexchange，上周（6月2日—6月6日），DRAM有18个品类现货 价格环比涨跌幅区间为0.50%至17.16%，平均涨跌幅为8.20%。

据DIGITIMES消息，继三星和SK海力士传出DDR4停产的消息后，美光确定已向客户发出信件通知DDR4将停产，预计未来2~3个季度陆续停止出货。美光执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana表示，DDR4/LPDDR4停产通知已交给客户，主要针对PC及数据中心领域。Sumit Sadana表示，DDR4将继续“严重缺货”。

交银国际认为，存储器价格在今年以来的上涨主要来自供应端厂商收敛产量，以及下游客户积极提前拉货。考虑到这些趋势一般很难短时间反转，预计今年存储价格或将继续保持上涨趋势。

甬兴证券表示，受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长。此外，受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。

来源：券商中国

责编：陈丽湘