HBM竞赛升级！美光日本90亿美元扩建项目开工，预计2028年出货
美光科技正加速推进日本扩产计划，以应对AI芯片需求激增带来的存储芯片供给缺口。
据彭博，7月5日，美光位于日本广岛的工厂扩建项目正式破土动工，总投资规模约1.5万亿日元（约合93亿美元），重点投向高带宽内存（HBM）等先进存储产品的量产。该产线预计于2028年夏季前后开始出货。日本经济产业省已确认将提供最高5000亿日元的补贴支持。
此次扩建是美光全球产能布局调整的关键一环。日本经济产业大臣赤泽亮正出席仪式时表示，作为目前日本本土唯一的DRAM制造商，美光在日投资具有“无可估量的战略价值”。
广岛工厂是美光于2013年收购破产的尔必达存储后整合而来，目前已发展为HBM技术的核心制造基地。扩建完成后，该工厂将主要面向英伟达等AI处理器厂商供应高带宽内存，同时着力提升AI服务器及自动驾驶领域所需芯片的功耗与传输效率。
美光日本子公司代表董事Kota Nosaka指出，广岛工厂的突出优势在于可向客户快速交付前沿高性能产品，在此推进下一代芯片研发与生产，直接服务美光全球战略。
美光获日本重金加码，全球HBM扩产竞赛升级
此次扩建项目得到日本政府扶持。迄今为止，日本政府已向美光拨付约7750亿日元资金，资金覆盖生产补贴与研发补助两大板块。
日本自2021年起持续加码半导体、人工智能产业投入，将两大赛道定位为关乎国家安全的核心战略产业。上月，日本发布产业发展路线图，计划在至2041年3月的规划周期内，撬动芯片与AI产业公私累计投资101.6万亿日元。
日本经济产业大臣赤泽亮正表态，若其他海外芯片企业计划赴日设厂，日方将全力提供配套扶持，释放出持续吸引海外芯片产业投资的清晰信号。
美光广岛扩产，也是全球存储芯片厂商抢抓AI算力需求、集中扩产的典型案例。企业同步在美国布局产能：于爱达荷州博伊西修建两座先进制程晶圆厂，并在今年1月启动纽约州锡拉丘兹大型生产基地建设，项目总投资规模达1000亿美元。
另一边，韩国SK海力士、三星电子同样加速扩充芯片制造产能，三家企业在HBM高端存储市场的竞争日趋白热化。