观点网讯:8月27日,日本存储芯片厂商铠侠宣布一项新的建设计划,拟投资超1万亿日元(约合68亿美元)在日本岩手县北上工厂园区内新建第三座生产厂房,用于量产下一代高性能NAND闪存芯片,项目目标投产时间定在2029年以后。
据知情人士透露,铠侠高层计划于周四前往日本首相官邸宣布该计划,扩产旨在满足持续强劲的人工智能(AI)相关存储需求。
此次扩产将提高铠侠的晶圆制造产能,以应对AI服务器对高性能存储芯片的旺盛需求。
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